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三星开始量产10纳米NAND闪存芯片
2013-04-15    来源:国际电子商情网

摘要:全球最大记忆芯片制造商三星电子11日表示,已开始量产采用10纳米先进制程128GB的NAND闪存芯片。


全球最大记忆芯片制造商三星电子11日表示,已开始量产采用10纳米先进制程128GB的NAND闪存芯片。三星电子表示,计划藉生产这类芯片,强化在内部存储器领域的优势地位。NAND flash芯片是应用于行动产品和固态硬盘(SSD)的非挥发性记忆芯片。

三星电子去年11月才推出采用10纳米64GB的NAND flash芯片,五个月后即推出新一代芯片,代表三星在内部存储器领域维持多元的产品阵容。三星在内建高阶记忆芯片的多媒体卡和SSD的领域,已有傲人的优势。

iSuppli预测,今年NAND flash芯片出货量将达405亿片,其中128GB的芯片将占30%。三星在新闻稿中说:“我们将持续在适当时机发表新一代的芯片,主动响应消费者需求。”

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